IPW60R070C6 英飞凌MOSFET产品图(CoolMOS™ C6)

图示为产品系列示意,具体外观以原厂规格书为准。

IPW60R070C6 CoolMOS™ C6

● 现货供应 MOSFET 功率场效应管

600V / 70mΩ CoolMOS™ C6 高压 MOSFET,低导通损耗,适合 PFC 与开关电源。

IPW60R070C6 产品概述

IPW60R070C6 采用 CoolMOS™ C6 高压超结技术,在 600V 耐压下实现 70mΩ 的导通电阻,兼顾低导通损耗与良好的开关特性,适用于连续导通模式(CCM)PFC 与 LLC 电源。

该器件体二极管反向恢复时间短、栅极电荷低,有助于降低高频开关损耗并简化 EMI 设计。TO-247 封装散热能力强,便于搭配散热器组成高功率密度电源。

力通 FAE 建议在 PFC 应用中重点评估开通损耗与体二极管反向恢复,必要时配合 SiC 二极管使用以进一步提升效率。

核心特性

  • 600V 超结高压 MOSFET
  • 70mΩ 低导通电阻
  • 低 Qg、快速体二极管
  • TO-247 强散热封装
  • 适合 CCM PFC 与 LLC

IPW60R070C6 是英飞凌MOSFET产品,600V / 70mΩ CoolMOS™ C6 高压 MOSFET,低导通损耗,适合 PFC 与开关电源。力通电子作为 Infineon distributor 提供原装现货与技术支持。

规格参数

漏源电压 VDS600 V
导通电阻 RDS(on)70 mΩ (typ.)
连续漏极电流 ID37 A
栅极电荷 Qg68 nC
封装TO-247
沟道类型N 沟道
工作结温 TJ-55 ~ +150 ℃

应用电路与设计要点

IPW60R070C6 适用于 服务器与通信电源、PFC 与 LLC 拓扑、光伏逆变器前级、工业开关电源 等场景。设计时建议重点关注驱动电压、栅极电阻、死区时间与散热设计,以充分发挥器件性能并保证长期可靠性。

IPW60R070C6 典型应用电路与方案示意(力通电子 FAE 提供)
IPW60R070C6 典型应用示意(更多电路细节请咨询力通 FAE)

FAE 建议:在 服务器与通信电源 应用中,请结合母线电压与开关频率核算结温余量,并预留必要的电流裕量。

相关文档

如需完整数据手册、双脉冲测试报告或可靠性资料,请联系力通 FAE,我们将在 1 个工作日内提供。

申请完整资料

应用场景

  • 服务器与通信电源
  • PFC 与 LLC 拓扑
  • 光伏逆变器前级
  • 工业开关电源

配套料号推荐

配套/关联料号

可替代料号

常见问题(FAQ)

IPW60R070C6 能否用于 LLC 谐振拓扑?

可以,其低 Qg 与快速体二极管适合 LLC,但需结合谐振频率校核死区与体二极管损耗。

如何降低该器件的 EMI?

建议优化 PCB 环路面积、增加栅极电阻并采用软开关策略。

需要 IPW60R070C6 的现货与报价?

力通电子作为 Infineon distributor,可提供 IPW60R070C6 的原装现货、样品、批量报价与报关单据。

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告诉我们你的应用、用量与交期要求,力通 FAE 与供应链团队将在 1 个工作日内给出选型建议与报价。