BSC028N04LS 产品概述
BSC028N04LS 针对低压大电流同步整流与电机驱动优化，40V 耐压与 2.8mΩ 导通电阻的组合，能在有限空间内实现高电流密度与低温升。
OptiMOS™ 5 通过工艺优化降低了 RDS(on) 与 Qg 的乘积，兼顾导通与开关损耗；PG-TDSON-8 封装具有良好的热性能，适合高密度布局。
在并联或多相设计中，力通 FAE 建议采用对称布局与均流措施，并关注栅极驱动能力，以充分发挥器件的低损耗优势。
核心特性
- 40V N 沟道 MOSFET
- 2.8mΩ 超低导通电阻
- OptiMOS™ 5 低 FOM
- PG-TDSON-8 贴片封装
- 支持大电流并联
BSC028N04LS 是英飞凌MOSFET产品，40V / 2.8mΩ OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET，低 FOM，适合同步整流与低压电机驱动。力通电子作为 Infineon distributor 提供原装现货与技术支持。