2026-04-0912 分钟阅读 英飞凌IGBT应用笔记:栅极驱动、死区与短路保护设计 栅极驱动决定IGBT的开关速度与损耗,死区与短路保护则关系到系统安全。本文把驱动电阻、死区、退饱和检测与振荡抑制串成一条完整的设计链路。 阅读全文 →
2026-04-2411 分钟阅读 英飞凌MOSFET热设计应用笔记:从结温到散热器选型 热设计不是选一个更大的散热器,而是从损耗到结温的定量核算。本文把连续与瞬态热阻、散热器与铜箔设计、SOA校核串成完整方法,并给出降额策略。 阅读全文 →