2026-01-1511 分钟阅读 英飞凌MOSFET选型指南:导通损耗与开关损耗的平衡方法 只盯着导通电阻RDS(on)选MOSFET,往往在轻载与高频下吃亏。本文用品质因数FOM贯穿选型过程,结合CoolMOS与OptiMOS给出的实际型号,讲清损耗平衡的判断方法。 阅读全文 →
2026-03-0310 分钟阅读 英飞凌二极管选型指南:SiC肖特基与快恢复二极管怎么选 SiC肖特基零反向恢复却浪涌能力偏弱,快恢复二极管成本低但开关损耗高。二极管选型是效率、EMI与可靠性之间的三角权衡,本文给出清晰的判断标准。 阅读全文 →
2026-04-2411 分钟阅读 英飞凌MOSFET热设计应用笔记:从结温到散热器选型 热设计不是选一个更大的散热器,而是从损耗到结温的定量核算。本文把连续与瞬态热阻、散热器与铜箔设计、SOA校核串成完整方法,并给出降额策略。 阅读全文 →
2026-05-2711 分钟阅读 MOSFET开关振荡排查:栅极振铃与电压尖峰的成因与对策 开关波形上的振铃不只是EMI问题,严重时会引发误开通和器件过压失效。本文从寄生电感与电容出发,给出栅极振铃与漏源尖峰的系统排查方法。 阅读全文 →
2026-06-2510 分钟阅读 英飞凌CoolSiC肖特基二极管评测:零反向恢复带来的效率提升 把CCM PFC中的硅快恢复二极管换成CoolSiC肖特基,效率与EMI能否同时改善?力通FAE基于IDW30G65C5做了对比实测,本文给出数据与客观结论。 阅读全文 →